5月31日，韩国统计厅公布的多个方面数据显示，4月份芯片库存同比下降33.7%，为2014年底以来的最大降幅。
再根据韩国之前公布的数据，4月份芯片出口同比增长53.9%，其中存储芯片出口额同比大幅度增长98.7%。
自2023年年底起，全球半导体存储产业已逐渐迈入一个上升周期，并在今年内多次收到上游存储芯片厂商关于提高合约价格的通知。
三星电子2024年一季度盈利达6.61万亿韩元（约人民币347.48亿元），同比增长931.87%，超2023全年总和。
美光2024财年二季度实现盈利收入58.2亿美元，环比上升23%，同比大增58%，毛利率达20%，强于市场预期。
由于在此前存储周期下行区间，各种商品市场价格出现显著下滑，主要存储厂商业绩均出现显著下滑甚至大幅亏损。
因此为了避免市场行情报价进一步下跌，存储芯片主要龙头厂商都纷纷采取了实质性减产的举措。
以三星和美光为例，三星2023年一季度，DRAM和NAND Flash分别减产20%和30%，三季度继续扩大减产规模分别达到30%和40%。
美光减产的时间更早，2022年底就宣布将DRAM减产20%，2023年年中将DRAM和NAND晶圆开工率进一步减少至近30%，并宣布减产将持续到2024年。
三星和美光两大存储芯片的垄断寡头的大幅减产，使得市场供应减少，同时也给下游应用厂商价格上升的预期，在低价时提前储备库存。
去年年初，由OpenAI发布的ChatGPT开启了AI大浪潮时代，而后各大厂商相继开发并推出大模型产品，针对AI服务器的工作场景需要出示更大的容量、更高的性能、更低的延迟和更高的响应速度，这当中产生的海量数据集传输和储存，无疑是对存力提出了更高的要求。
根据测算，AI服务器所需的DRAM和NAND分别是常规服务器的8倍和3倍，这些显然会成为支撑存储市场增长的强劲驱动力。
就连PC市场在经历了连续两年的下滑之后，于2024年第一季度也迎来了季度同比增长，共计出货量5980万台，同比增长5.10%。
存储芯片行业产业链上游参与者包括硅片、光刻胶、靶材、抛光材料、电子特种气体等半导体材料供应商与光刻机、PVD、CVD、刻蚀设备、清理洗涤设施、封测设备等半导体设备供应商。
产业链中游为存储芯片制造商，主要负责存储芯片的设计、制造和封测，常见的存储芯片包括DRAM、NAND闪存芯片和NOR闪存芯片等。
在DRAM领域，市场主要被韩国三星、SK海力士以及美国美光这三家公司所占据，形成了较为显著的垄断格局，而国内市场上，合肥长鑫成为主要的DRAM芯片制造商。
另一方面，在NAND Flash领域，三星凭借其技术和市场优势，占据了34%的市场占有率，处于领先地位。
紧随其后的日本铠侠、美国西部数据、SK海力士和美光等公司在市场占有率上则相对接近，呈现出较为均衡的竞争态势。而国内，长江存储成为NAND Flash领域的主要厂商。
A股中，则有兆易创新、佰维存储、德名利、北京君正、江波龙等，并且大多数一季度业绩已经实现逆转。
兆易创新是国内少数能同时提供自研的NOR Flash、NAND Flash及DRAM产品且在代码型存储市场与国际龙头公司相比肩的公司之一，也是全球领先的Fabless芯片供应商。
受益于原厂减产、大宗存储价格增长以及原厂对HBM、DDR5产能切换，公司产品价格触底回升，业绩出现反转。
2024年一季度，公司营业收入16.27亿元，同比增长21.32%，归母净利润2.05亿元，同比增长36.45%。
在发展模式上兆易创新避开国际巨头及大市场领域，选择NOR Flash、利基DRAM等小众领域发展，逐步站稳并拓展市场。
目前在NOR Flash领域全球市占率第三、中国第一，Arm通用32位MCU中国第一，触控芯片全球第四，指纹识别芯片全球第三、中国第二。
公司2023年NOR Flash出货量创新高，达到25.33亿颗，实现同比16.15%增长；SLCNAND Flash产品在消费电子、工业、汽车电子等领域已经实现了全品类的产品覆盖，2023年出货量大幅增长。
兆易创新已经具备DDR3和DDR4两条产品线年市场拓展效果明显，总成交客户数量稳步增加。
公司2024年3月29日公告，拟以15亿元参与长鑫科技新一轮融资，本次增资后，将持有长鑫科技约1.88%股权。
长鑫科技是目前国内唯一的国产一体化动态随机存取存储芯片（DRAM）制造商，专门干DRAM芯片的设计、研发、生产和销售，兆易创新参股长鑫科技后，将会在DRAM技术领域获得核心的竞争优势。
未来随着存储价格持续涨价带来的营业利润率改善，存储龙头厂商有望迎来业绩与估值的戴维斯双击，行业存在比较大的反弹空间。
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